发明名称 导电性粒子、可见光透过型粒子分散导电体及其制造方法、透明导电薄膜及其制造方法、使用它的透明导电物品、红外线屏蔽物品
摘要 本发明涉及一种可见光透过型粒子分散导电体,其中使用了含有钨氧化物和/或复合钨氧化物而形成的导电性粒子、由该可见光透过型粒子分散导电体形成的可见光透过型导电物品、用于这些可见光透过型粒子分散导电体和可见光透过型导电物品的导电性粒子、及其制造方法,为了提供可见光透过性和导电性优异并且廉价的可见光透过型分散导电体,使用了导电性粒子,该导电性粒子含有通式W<SUB>y</SUB>O<SUB>z</SUB>(2.2≤z/y≤2.999)表示的钨氧化物和/或通式M<SUB>x</SUB>W<SUB>y</SUB>O<SUB>z</SUB>(0.001≤x/y≤1.1,2.2≤z/y≤3.0)表示的复合钨氧化物,粒径为1nm以上,具有可见光透过性,并且在9.8MPa压力下对该粒子测定的压粉电阻值为1.0Ω·cm以下。
申请公布号 CN101023498A 申请公布日期 2007.08.22
申请号 CN200580028702.X 申请日期 2005.08.31
申请人 住友金属矿山株式会社 发明人 武田广充;足立健治
分类号 H01B5/14(2006.01);H01B13/00(2006.01);C01G39/00(2006.01);C01G41/00(2006.01);C03C17/25(2006.01) 主分类号 H01B5/14(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 张平元;赵仁临
主权项 1.一种可见光透过型粒子分散导电体,其是多个导电性粒子的集合物,所述导电性粒子含有通式WyOz(其中,W为钨,O为氧,2.2≤z/y≤2.999)表示的钨氧化物和/或通式MxWyOz(其中,M元素为选自H、He、碱金属、碱土金属、稀土元素、Mg、Zr、Cr、Mn、Fe、Ru、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、Pb、Sb、B、F、P、S、Se、Br、Te、Ti、Nb、V、Mo、Ta、Re、Be、Hf、Os、Bi、I中的一种以上的元素,W为钨,O为氧,0.001≤x/y≤1.1,2.2≤z/y≤3.0)表示的复合钨氧化物,粒径为1nm以上,具有可见光透过性,并且在9.8MPa压力下对该粒子测定的压粉电阻值为1.0Ω·Gm以下。
地址 日本东京都