半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体装置的制造方法，在所述制造方法中，通过被等离子体活化的氮对在基底上形成的氧化硅膜进行等离子体氮化处理后，在含有具有氮原子的化合物的气体氛围中进行热氮化处理，在氧化硅膜表面附近及氧化硅膜与基底的界面附近分别形成具有氮浓度峰的氧氮化硅膜。

主权项

1、一种半导体装置的制造方法，所述制造方法具备形成闪存装置的隧道绝缘膜的工序，所述工序包括：第1氮化工序，即通过等离子体氮化和热氮化中的任一种方法，对在半导体硅基底上形成的氧化硅膜进行氮化处理，形成第1氧氮化硅膜的工序，所述等离子体氮化是利用将第1气体等离子体放电后活化的气体进行的氮化处理，所述第1气体含有化学式中至少含有氮原子的第1化合物，所述热氮化是使用第2气体并利用热进行的氮化处理，所述第2气体含有化学式中至少含有氮原子的第2化合物；第2氮化工序，即通过所述等离子体氮化及所述热氮化中的另一种方法，对所述第1氧氮化硅膜进行氮化处理，形成第2氧氮化硅膜。