| 发明名称 | 薄膜晶体管阵列基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，首先在一基板上形成一栅极以及与栅极电性连接的一扫描配线，接着在基板上形成一栅极绝缘层。之后在栅极上方的栅极绝缘层上形成一通道层。随后在基板的上方形成一透明导电层以及一金属层，之后图案化金属层与透明导电层，以定义出一源极/漏极、一数据配线以及一像素区域，其中该扫描配线与该数据配线电性连接，然后在基板的上方形成一保护层，暴露出像素区域中的金属层，之后再以保护层为掩膜，移除像素区域中的金属层，而形成一像素电极，由于本发明只需使用四道光掩膜，因此可以降低制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN1333432C | 申请公布日期 | 2007.08.22 |
| 申请号 | CN03154641.2 | 申请日期 | 2003.08.21 |
| 申请人 | 广辉电子股份有限公司 | 发明人 | 杨克勤 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L29/786(2006.01);G02F1/136(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 张浩 |
| 主权项 | 1、一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括：进行第一道光掩模制造工艺：在一基板上形成一栅极以及与该栅极电性连接的一扫描配线；在该基板上形成一栅极绝缘层，覆盖该栅极以及该扫描配线；进行第二道光掩模制造工艺：在该栅极上方的该栅极绝缘层上定义出一通道层以及一欧姆接触层；在该基板的上方形成一透明导电层；在该透明导电层上形成一金属层；进行第三道光掩模制造工艺：图案化该金属层与该透明导电层，以定义出一源极/漏极、一数据配线以及一像素区域；进行第四道光掩模制造工艺：在该基板的上方形成一保护层，暴露出该像素区域中的该金属层；以及以该保护层为掩膜，移除该像素区域中的该金属层，暴露出该像素区域中的该透明导电层，而形成一像素电极。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||