发明名称 薄膜蚀刻方法及其液晶显示器之制作方法
摘要 一种薄膜蚀刻方法包括有在基板上形成一层,排列具有确定图样的遮罩在该层上,及采用飞秒镭射器透过该遮罩照射该基板去除该层的一部分。
申请公布号 TWI285960 申请公布日期 2007.08.21
申请号 TW094121949 申请日期 2005.06.29
申请人 LG飞利浦股份有限公司 发明人 朴正权
分类号 H01L29/786(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人 许世正 台北市信义区忠孝东路5段410号4楼
主权项 1.一种薄膜蚀刻方法,包括: 在一基板上形成一层; 在该层上排列具有确定图样的一遮罩;及 采用飞秒镭射(femtosecond laser)器透过该遮罩照射该 基板,以去除该层的一部分。 2.如申请专利范围第1项所述之薄膜蚀刻方法,其中 该层包括一绝缘材料、一传导材料、一半导体材 料及一树脂材料之一。 3.如申请专利范围第1项所述之薄膜蚀刻方法,其中 该遮罩包括一碳化矽基材料。 4.一种液晶显示器之制作方法,包括: 在第一基板上形成一第一传导层; 采用飞秒镭射(femtosecond laser)器去除该第一传导层 的一部分,以形成一闸电极; 在包含该闸电极的该第一基板形成一闸极绝缘层; 在包含该闸极绝缘层的该第一基板上形成一半导 体层; 采用该飞秒镭射器去除该半导体层的一部分,以形 成一活性层; 在包含该活性层的该第一基板上形成一第二传导 层; 采用该飞秒镭射器去除该第二传导层的一部分,以 形成一源电极和一漏电极; 在包含该源电极和该漏电极的该第一基板上形成 一保护层; 采用该飞秒镭射器去除保护层的一部分,以形成暴 露该源电极一部分的一接触孔; 在包含该接触孔的该第一基板上形成一第三传导 层;及 去除该第三传导层的一部分,以形成透过该接触孔 与该漏电极电连接的一像素电极。 5.如申请专利范围第4项所述之制作方法,进一步包 括: 在包含该像素电极的该第一基板形成一第一排列 层。 6.如申请专利范围第4项所述之制作方法,更包括以 下步骤: 在一第二基板上形成一不透明层; 采用飞秒镭射器去除该不透明层的一部分,以形成 一黑白矩阵; 在包含该黑白矩阵的该第二基板形成一红/绿/蓝 感光薄膜; 去除该红/绿/蓝感光薄膜的一部分,以形成一滤色 镜; 在包含该滤色镜的该第二基板形成一第四传导层; 及 采用该飞秒镭射器去除该第四传导层的一部分,以 形成一共同电极。 7.如申请专利范围第6项所述之制作方法,进一步包 括: 在包含该共同电极的该第二及板形成一第二排列 层。 8.如申请专利范围第6项所述之制作方法,更包括: 该第一基板和该第二基板彼此结合;及 在该第一基板和该第二基板的预定间距形成一液 晶层。 9.如申请专利范围第8项所述之制作方法,其中该液 晶层在该第一基板和该第二基板彼此结合前形成 。 10.如申请专利范围第8项所述之制作方法,其中该 液晶层在该第一基板和该第二基板彼此结合后形 成。 11.如申请专利范围第8项所述之制作方法,更包括: 在该第一基板和该第二基板彼此结合前在该第一 基板和该第二基板之一的外围形成一密封模。 12.如申请专利范围第11项所述之制作方法,其中该 密封模包括一热固树脂或一光固树脂。 13.如申请专利范围第4项所述之制作方法,其中于 在包含该接触孔的该第一基板上形成一第三传导 层之步骤中,包括在该第一基板上形成一透明金属 层。 图式简单说明: 第1A图至第1C图系为根据先前技术的一种薄膜蚀刻 方法; 第2A图至第2F图系为根据先前技术的液晶显示器的 制作方法的代表图; 第3A图至第3C图系为说明根据本发明实施例的薄膜 蚀刻方法的代表图;及 第4A图至第4F图系为说明根据本发明实施例的液晶 显示器的制作方法的代表图。
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