| 主权项 |
1.一种直角反射器,其包括二维配置的单位元件, 其中该等单位元件系采用200 m或更小的一间距 而配置,以及 其中当从进入光所进入的一方向观察时,各该单位 元件具有一峰値点及一底部点,以及 其中与一理想直角之一理想峰値部分相比,包含该 峰値点的一峰値部分具有一过多部分及/或一缺少 部分,该峰値点的位准低于该理想直角之该理想峰 値点的位准,以及 其中介于该底部点的位准与该理想直角之一理想 底部点的位准间的一平均位准差异h2小于介于该 峰値点的位准与该理想峰値点的位准间的一平均 位准差异h1。 2.如请求项1之直角反射器,其中介于该峰値点的位 准与该理想峰値点的位准间的该平均位准差异h1 与该配置间距之比率大于0%,且等于或小于2.5%。 3.如请求项1之直角反射器,其中介于该底部点的位 准与该理想底部点的位准间的该平均位准差异h2 与该配置间距之比率为0%至1.7%。 4.如请求项1之直角反射器,其中该底部点的位准高 于该理想底部点的位准。 5.如请求项1之直角反射器,其中该等单位元件为正 方形直角。 6.如请求项1之直角反射器,其中该配置间距为20 m或更小。 7.一种主体基板,其包括二维配置的单位元件, 其中该等单位元件为直角,以及 其中该等直角系采用200 m或更小的一间距而配 置,以及 其中当从进入光所进入的一方向观察时,各该直角 具有一峰値点及一底部点,以及 其中与一理想直角之一理想底部部分相比,包含该 底部点的一底部部分具有一过多部分及/或一缺少 部分,该底部点的位准高于该理想直角之该理想底 部点的位准,以及 其中介于该峰値点的位准与该理想直角之一理想 峰値点的位准间的一平均位准差异h1小于介于该 底部点的位准与该理想底部点的位准间的一平均 位准差异h2。 8.一种制造一主体基板之方法,该方法包括以下步 骤: 制备具有定义一二维配置的单位元件之表面之一 直角阵列主体,其中该等单位元件系采用200 m或 更小的一间距而配置,当从进入光所进入的一方向 观察时,各该单位元件具有一峰値点及一底部点, 而且与一理想直角阵列之一理想峰値部分或一理 想底部部分相比,包含该峰値点的一峰値部分及/ 或包含该底部点的一底部部分具有一过多部分及/ 或一缺少部分; 藉由转移该直角阵列主体之表面而进行第一次转 移;以及 藉由从一第n次转移按顺序进行一第(n+1)次转移而 获得一第k次转移作为该主体基板,而n从1逐一增加 至k-1,其中k及n皆为整数,n≧1而k≧2,其中在该直角 阵列主体中,若介于该峰値点的位准与该理想直角 之一理想峰値点的位准间的一平均位准差异h1大 于介于该底部点的位准与该理想直角之该理想底 部点的位准间的一平均位准差异h2,则k为一奇数; 而若该平均位准差异h1小于该平均位准差异h2,则k 为一偶数。 9.一种制造直角反射器之方法,其中该等直角反射 器系采用藉由请求项8之方法所形成的一主体基板 而制造。 10.一种制造一直角反射器之方法,该方法包括以下 步骤: 制备具有定义一二维配置的单位元件之表面之一 直角阵列主体,其中该等单位元件系采用200 m或 更小的一间距而配置,当从进入光所进入的一方向 观察时,各该单位元件具有一峰値点及一底部点, 而且与一理想直角阵列之一理想峰値部分或一理 想底部部分相比,包含该峰値点的一峰値部分及/ 或包含该底部点的一底部部分具有一过多部分及/ 或一缺少部分; 藉由转移该直角阵列主体之表面而进行第一次转 移; 藉由从第n次转移按顺序进行一第(n+1)次转移而获 得一第k次转移,n从1逐一增加至k-1,其中k及n皆为整 数,n≧1而k≧2,其中在该直角阵列主体中,若介于该 峰値点的位准与该理想直角之一理想峰値点的位 准间的一平均位准差异h1大于介于该底部点的位 准与该理想直角之该理想底部点的位准之间的一 平均位准差异h2,则k为一奇数;而若该平均位准差 异h1小于该平均位准差异h2,则k为一偶数;以及 藉由采用该第k次转移作为一主体基板而获得该直 角反射器。 11.如请求项10之方法,其中该直角阵列主体之至少 一表面部分系采用一立方结晶材料制造,以及 其中藉由图案化该表面部分而获得该直角阵列主 体之该等单位元件。 12.如请求项11之方法,其中该结晶材料包括砷化镓 。 13.如请求项11之方法,其中该直角阵列主体之该等 单位元件为正方形直角,其包含由该结晶材料之{ 100}平面系列所定义的表面。 14.如请求项11之方法,其中制备该直角阵列主体之 该步骤包含以下步骤: 在一基板上定义包含该结晶材料之立体形状的单 位元件;以及 藉由供给包含该结晶材料中所含有的一元素之一 第一活性物种,而使晶体生长于该基板上。 15.一种制造一直角反射器之方法,该方法包括以下 步骤: 制备具有定义一二维配置的单位元件之表面之直 角阵列主体,其中该等单位元件系采用200 m或更 小的一间距而配置,从进入光所进入的方向观察时 ,各该单位元件具有一峰値点及一底部点;与一理 想直角之一理想底部部分相比,包含该底部点的一 底部部分具有一过多部分及/或缺少部分;该底部 点的位准高于该理想直角之该理想底部点的位准, 而且介于该峰値点的位准与该理想直角之一理想 峰値点的位准间的一平均位准差异h1小于介于该 底部点的位准与该理想底部点的位准间的一平均 位准差异h2; 藉由转移该直角阵列主体之表面而进行第一次转 移; 藉由从一第n次转移按顺序进行一第(n+1)次转移而 获得一第k次转移,n从1逐一增加至k-1,其中k及n皆为 整数,k为一偶数,n≧1而k≧2,该第n次转移(其中n=1至 k-1)之至少一次转移系采用一树脂材料制造;以及 藉由采用该第k次转移作为一主体基板而获得该直 角反射器。 16.一种反射显示装置,其包括: 一回反射层;以及 一调变层,其系提供比该回反射层更接近于一观察 者,并且可在具有相互不同的光学特性之第一状态 与第二状态之间切换, 其中该回反射层包含一二维配置的单位元件,以及 其中该等单位元件系采用200 m或更小的一间距 而配置,以及 其中当从进入光所进入的一方向观察时,各该单位 元件具有一峰値点及一底部点,以及 其中与一理想直角之一理想峰値部分相比,包含该 峰値点的一峰値部分具有一过多部分及/或一缺少 部分,该峰値点的位准低于该理想直角之该理想峰 値点的位准,以及 其中介于该底部点的位准与该理想直角之一理想 底部点的位准之间的一平均位准差异h2小于介于 该峰値点的位准与该理想峰値点的位准间的一平 均位准差异h1。 17.一种直角阵列结构,其包括一二维配置的单位元 件, 其中该等单位元件系采用200 m或更小的一间距 而配置,以及 其中当从进入光所进入的一方向观察时,各该单位 元件具有一峰値点及一底部点,以及 其中介于该底部点的位准与一理想直角之一理想 底部点的位准间的一平均位准差异h2与该配置间 距之该比率为1.7%或更小,以及 其中介于该峰値点的位准与该理想直角之一理想 峰値点的位准间的一平均位准差异h1与该配置间 距之该比率为1.7%或更小。 图式简单说明: 图1A及1B分别为解说理想正方形直角阵列之一部分 的平面图及透视图。 图2为示意性解说依据本发明之一较佳具体实施例 的正方形直角反射器之示范性组态的断面图。 图3A至3F显示用以制造依据本发明之一较佳具体实 施例的直角反射器之个别程序步骤。 图4显示用于依据本发明之一较佳替代具体实施例 的回反射特性之评估系统的组态。 图5A为依据本发明之一第一特定较佳具体实施例 的直角阵列主体之断面图。 图5B及5C为依据本发明之第一较佳具体实施例的直 角反射器之断面图。 图6A至6I为解说用以制造依据本发明之第一较佳具 体实施例的直角反射器之个别程序步骤的平面图 。 图7A至7I为解说分别藉由图6A至6I所示的程序步骤 而获得的结构之断面图。 图8为解说用于制造依据第一较佳具体实施例之直 角阵列的方法之光罩的平面图。 图9为显示如何在制造依据第一较佳具体实施例之 直角阵列的方法中定义立体形状元件之示意断面 图。 图10A至10D为解说用以制造依据第一较佳具体实施 例之直角阵列的详细程序步骤之断面图。 图11A为直角阵列主体之断面图。 图11B为解说沿组成底部部分的平面之一所观察的 图11A所示的直角阵列主体之底部部分的平面图。 图12A至12C显示在制造依据第一较佳具体实施例之 直角阵列之方法中的转移程序步骤。 图13A及13B为用以评估依据第一较佳具体实施例之 直角阵列的回反射特性之样本反射器D1及D2的断面 图。 图14为显示回反射率Rr如何随H/p比率而发生变化的 曲线图。 图15为解说用于依据本发明之一第二特定较佳具 体实施例的反射显示装置之组态的示意断面图。 图16为解说用于具有回反射器的传统反射显示装 置之组态的断面图。 图17A及17B为显示直角反射器中的峰値点、峰値部 分、底部点及底部部分之位置的断面图。 |
