| 主权项 |
1.一种用于识别的积体电路晶片,包括: 一电源供应部,利用外来的一载波产生内部电流; 一可读时脉讯号产生部,其根据叠加于外来的一光 学讯号之时讯脉波,产生一可读出的内部时脉讯号 ; 一记忆体部;以及 一输出部,其根据该可读出的内部时脉讯号,以序 列方式读出该记忆体部内的资料,且据以负载调制 (load modulate)外来的该载波。 2.如申请专利范围第1项所述之一种用于识别的积 体电路晶片,更包括:一可写入的时脉讯号产生部, 其根据叠加该载波之时讯脉波产生一可写入的内 部时脉讯号;与一写入部,其根据该可写入的内部 时脉讯号,以序列方式读入叠加于该光学讯号之一 资料,且将该资料存入该记忆体部。 3.如申请专利范围第2项所述之一种用于识别的积 体电路晶片,其中,该写入部可检测该资料是否满 溢(overflow ),且可封锁并禁止写入该记忆体部。 4.如申请专利范围第3项所述之一种用于识别的积 体电路晶片,其中,该可写入的时脉讯号产生部可 区别出叠加于该载波之时讯脉波。 5.如申请专利范围第1、第2、第3或第4项所述之一 种用于识别的积体电路晶片,进一步包括与一外部 天线相连之一突起接点,系设于与该输出部相连之 一内建于晶片中的天线上。 6.一种从用于识别的积体电路晶片读出资料的方 法,包括: 根据叠加于外来的一光学讯号之一时讯脉波,产生 一可读出的内部时脉讯号; 根据该可读出的内部时脉讯号,以序列方式读出储 存于一记忆体部之一资料,且根据该资料负载调制 (load modulate)外来的载波。 7.一种将资料写入用于识别的积体电路晶片的方 法,包括: 根据叠加于外来的一载波之一时讯脉波,产生一可 写入的内部时脉讯号; 根据该可写入的内部时脉讯号,以序列方式储存叠 加于外来的光学讯号之一资料; 将所储存的该资料写入一记忆体部,且封锁该记忆 体部以禁止写入。 图式简单说明: 第一图为一系统方块图,系表示本发明之一种用于 识别的积体电路晶片的一个实施例的全体系统结 构。 第二图为第一图中同一个实施例的更详细之系统 方块图。 第三A图为俯视示意图,系显示此用于识别的积体 电路晶片之整体的物理结构。 第三B图为截面示意图,系显示第三A图中箭头X-X所 指的平面截面。 第四图为一第一时脉图,系表示此积体电路晶片之 运作方式。 第五图为一第二时脉图,系表示此积体电路晶片之 运作方式。 |
