| 主权项 |
1.一种制造电激发光元件之方法,应用于使多种发 光材料发光,该方法系包含以下步骤: 提供一阳极; 于该阳极之部分表面上形成一绝缘层,藉以于该阳 极表面定义出多种面积大小不等之发光区,其中此 等发光区系未被该绝缘层覆盖者,且此等发光区之 面积大小系根据该多种发光材料于一特定电压作 用下之发光效率决定,而发光效率愈高的发光材料 位于面积愈小的发光区上; 使该多种发光材料形成于对应的发光区及该绝缘 层上,俾形成一发光材料层;及 于该发光材料层上形成一阴极。 2.如申请专利范围第1项所述之制造电激发光元件 之方法,其中该多种发光材料系藉一蔽荫遮罩( shadow mask)定位于此等发光区及该绝缘层上,且该蔽 荫遮罩具有较发光区大之开口。 3.如申请专利范围第1项所述之制造电激发光元件 之方法,其中该多种发光材料可为发红光材料、发 绿光材料或发蓝光材料。 4.如申请专利范围第3项所述之制造电激发光元件 之方法,其中该发红光材料所对应之发光区面积大 于该发蓝光材料所对应之发光区面积,且该发蓝光 材料所对应之发光区面积大于该发绿光材料所对 应之发光区面积。 5.如申请专利范围第1项所述之制造电激发光元件 之方法,其中形成该发光材料层之步骤系藉蒸镀( evaporation)方式进行。 6.如申请专利范围第1项所述之制造电激发光元件 之方法,其中定义该发光区之步骤系藉光微影( photolithography)方式进行。 7.一种电激发光元件,应用于使多种发光材料发光, 其系包含: 一阳极; 一绝缘层,系形成于该阳极之部分表面上,藉以于 该阳极表面定义出复数个面积大小不等之发光区, 其中此等发光区系未被该绝缘层覆盖者,且此等发 光区之面积大小系根据该多种发光材料于一特定 电压作用下之发光效率决定,而发光效率愈高的发 光材料位于面积愈小的发光区上; 一发光材料层,系由该多种发光材料组成,且位于 对应的发光区及该绝缘层上;及 一阴极,系位于该发光材料层上。 8.如申请专利范围第7项所述之电激发光元件,其中 该多种发光材料系藉一蔽荫遮罩(shadow mask)定位于 此等发光区及该绝缘层上,且该蔽荫遮罩具有较发 光区大之开口。 9.如申请专利范围第7项所述之电激发光元件,其中 该多种发光材料可为发红光材料、发绿光材料或 发蓝光材料。 10.如申请专利范围第9项所述之电激发光元件,其 中该发红光材料所对应之发光区面积大于该发蓝 光材料所对应之发光区面积,且该发蓝光材料所对 应之发光区面积大于该发绿光材料所对应之发光 区面积。 11.如申请专利范围第7项所述之电激发光元件,其 中该发光区系藉光微影(photolithography)方式定义。 12.如申请专利范围第7项所述之电激发光元件,其 中该发光材料层系藉蒸镀(evaporation)方式形成于此 等发光区及该绝缘层上。 13.如申请专利范围第7项所述之电激发光元件,其 中该绝缘层系选自二氧化矽、氮化矽、氧氮化矽( silicon oxynitride)或其组合物所组成之群之材料制成 。 图式简单说明: 第一图:传统双电晶体有机电激发光元件像素之示 意图。 第二图:习知技艺有机电激发光元件之剖面图。 第三图:习知技艺中以蔽荫遮罩定义出发光区之示 意图。 第四图:红绿蓝三种发光材料之发光效率(E)与发光 区面积(A)之关系图。 第五图:本案有机电激发光元件之剖面图。 第六图:本案以绝缘层定义出发光区之示意图。 |
