| 主权项 |
1.一种用于制造一半导体装置之方法,其包含: 形成一穿过一层间绝缘层之接触插塞; 在该层间绝缘层上连续地形成一下电极层、一介 电层及一上电极层; 图案化该上电极层; 图案化该介电层及该下电极层,藉此获得一电容器 ,该电容器包括一上电极、一图案化介电层及一下 电极;及 连续地形成一与该接触插塞相连之第一金属互连 线,及与该电容器相连之第二金属互连线。 2.如请求项1之方法,其中该第二金属互连线包括: 一与该上电极相连之上电极金属互连线;及 一与该下电极相连之下电极金属互连线。 3.如请求项1之方法,在连续地形成该下电极层、该 介电层及该上电极层之后,进一步包含形成一作为 一蚀刻终止层之硬式遮罩层。 4.如请求项3之方法,其中该硬式遮罩层包括一选自 一氮化物材料及一氮氧化物材料之材料。 5.如请求项4之方法,其中在该上电极层之该图案化 时,使用CxFy/O2/Ar之一混合气体及CHpFq/O2/Ar之一混合 气体中的一者来蚀刻该硬式遮罩层,其中x及y为自 然数,及其中p及q为自然数。 6.如请求项1之方法,其进一步包括在形成该上电极 之后及在形成该下电极之后执行一清洁过程。 7.如请求项1之方法,在形成该电容器之后,进一步 包括在该电容器及该层间绝缘层上形成一扩散障 壁层。 8.如请求项7之方法,其中该扩散障蔽层包括一选自 由氮化矽、碳化矽及氮氧化物组成之群的材料。 9.如请求项1之方法,其进一步包括在该层间绝缘层 及该接触插塞上形成一基于氮化物之层。 10.如请求项1之方法,其中藉由一金属镶嵌过程而 形成该第一金属互连线及该等第二金属互连线。 11.如请求项1之方法,在形成该第一金属线及该等 第二金属线之后,进一步包括: 在该第一金属互连线及该等第二金属互连缘上形 成一蚀刻终止层; 在该蚀刻终止层上形成一金属间绝缘层;及 形成复数个第三金属互连线。 12.如请求项11之方法,其中藉由一金属镶嵌过程而 形成该等复数个第三金属互连线。 13.如请求项1之方法,其中该下电极层及该上电极 层包括一材料,该材料选自由氮化钛(TiN)、氮化钽( TaN)、铝(Al)、钨(W)及铜(Cu)组成之群。 14.如请求项13之方法,其中使用Cl2/Ar/N2之一混合气 体及BCl3/Cl2/Ar之一混合气体中的一者蚀刻该上电 极层及该下电极层。 15.如请求项1之方法,其中该介电层包括一材料,该 材料选自由正矽酸四乙酯(TEOS)、矽烷、氮化物及 氮氧化物组成之群。 16.如请求项15之方法,其中使用CxFy/O2/Ar之一混合气 体及CHpFq/O2/Ar之一混合气体中的一者来蚀刻该介 电层,其中x及y为自然数,及其中p及q为自然数。 17.一种半导体装置,其包含: 一穿过一层间绝缘层之接触插塞; 一电容器,其包括连续形成于该层间绝缘层上之一 下电极、一介电层及一上电极; 一第一金属互连线,其形成于该电容器上并与该接 触插塞相连;及 第二金属互连线,其形成于该电容器上并与该下电 极及该上电极进行一独立之连接。 18.如请求项17之半导体装置,其中该等第二金属互 连线包括: 一与该上电极相连之上电极金属互连线;及 一与该下电极相连之下电极金属互连线。 19.如请求项17之半导体装置,其进一步包括: 一蚀刻终止层,其形成于该第一金属互连线及该等 第二金属互连线上以防止在该上电极处之一击穿 事件的一发生; 一形成于该蚀刻终止层上之金属间绝缘层;及 复数个第三金属互连线。 20.如请求项17之半导体装置,其中该下电极及该上 电极包括一选自由TiN、TaN、Al、W及Cu组成之群的 材料。 21.如请求项17之半导体装置,其中介电层包括一选 自由TEOS、矽烷、氮化物及氮氧化物组成之群的材 料。 22.如请求项17之半导体装置,其进一步包括一位于 该上电极上之硬式遮罩层,其中该硬式遮罩层包括 一氮化物材料及一氮氧化物材料中的一者。 23.如请求项17之半导体装置,其进一步包括一位于 该层间绝缘层及该接触插塞上之基于氮化物之层 。 24.如请求项17之半导体装置,其进一步包括一形成 于该电容器及该层间绝缘层上之扩散障壁层。 25.如请求项24之半导体装置,其中该扩散障壁层包 括一选自由氮化矽、碳化矽及氮氧化物组成之群 的材料。 图式简单说明: 图1A至1E为习知半导体装置之截面图,其用于说明 该习知半导体装置之制造方法; 图2A至2H为习知半导体装置之截面图,其用于说明 该习知半导体装置之制造方法;及 图3A至3F为根据本发明之一特定实施例而制造之半 导体装置的截面图,其用于说明该半导体装置之制 造方法。 |
