| 主权项 |
1.一种制造3-5族化合物半导体之方法,其包括以下 之步骤:在包含通式InaGabAlcN(0≦a≦1,0≦b≦1,0≦c≦ 1,a+b+c=1)所表示之3-5族化合物半导体之表面为c-平 面之基础晶体层上形成条状遮罩,接着在上述基础 晶体层上生长通式InxGayAlzN(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1 ,x+y+z=1)所表示之3-5族化合物半导体层,其中该条状 遮罩系于上述基础晶体层上使该条纹方向自<1-100> 方向旋转0.095或更大并且小于9.6而形成。 2.如申请专利范围第1项之制造3-5族化合物半导体 之方法,其中该3-5族化合物半导体层系藉由金属有 机蒸气相磊晶法或氢化物蒸气相磊晶法生长。 3.一种半导体元件,系使用以如申请专利范围第1或 2项之方法制成之该3-5族化合物半导体。 图式简单说明: 第1图系概要地显示藉由本发明之方法制造之3-5族 化合物半导体结构之实施例。 第2图系用以解释第1图所示之3-5族化合物半导体 之遮罩层自预定方向旋转之图式。 第3图系显示遮罩层之条纹之旋转角度为1时,该摇 摆曲线之测量结果。 第4图系显示遮罩层之条纹之旋转角度为3时,该摇 摆曲线之测量结果。 第5图系显示遮罩层之条纹之旋转角度为5时,该摇 摆曲线之测量结果。 第6图系显示遮罩层之条纹之旋转角度为0时,该摇 摆曲线之测量结果。 |
