| 主权项 |
1.一种处理一基材的方法,其至少包含: 将该基材放置在一制程室中,其中该基材具有一至 少包含矽与碳的阻障层; 以一第一比例之有机矽化物与氧化气体将该有机 矽化物与氧化气体引入至该制程室中; 产生由该有机矽化物与氧化气体组成之一第一电 浆,以在该阻障层上形成一初始层; 以一第二比例之有机矽化物与氧化气体而将该有 机矽化物与氧化气体引入至该制程室中,其中该第 二比例大于该第一比例; 在邻近该介电初始层处沉积一第一介电层,其中该 介电层包含矽、氧、及碳,且其介电常数値约为3 或低于3。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该阻障层 更包含氧或氮。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该有机矽 化物系选自由三甲基矽烷、2,4,6,8-四甲基环四矽 氧、八甲基环四矽氧及其之组合所组成的群组中, 且该氧化气体系选自由氧气、臭氧、一氧化碳、 二氧化碳、一氧化二氮及其之组合所组成的群组 中。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该沉积初 始层的步骤包含以一双频RF电源来产生电浆。 5.如申请专利范围第I项所述之方法,其中该沉积第 一介电层的步骤包含以一双频RF电源来产生电浆 。 6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一比 例之有机矽化物与氧化气体包含一约1:1之比例且 该第二比例之有机矽化物与氧化气体包含一大于 或等于约10:1之比例。 7.如申请专利范围第1项所述之方法,更包含与该有 机矽化物与氧化气体一同引入一惰性气体。 8.如申请专利范围第1项所述之方法,更包含在引入 该有机矽化物与氧化气体之前,将该阻障层暴露在 一电浆下的步骤,该电浆系由一惰性气体、一氧化 气体或其二者所组成。 9.一种处理一基材的方法,其至少包含: 将该基材放置在一制程室中,其中该基材具有一至 少包含矽、氮及碳的阻障层; 引入一惰性气体至该制程室中; 从一单频RF电力源产生一第一电浆来改良该阻障 层之一表面; 以一有机矽化物与一氧化气体之比例约1:1的比例, 将该有机矽化物与氧化气体引入至该制程室中; 自一双频RF电源产生一第二电浆,以在该阻障层上 形成一初始层; 以该有机矽化物与氧化气体之比例大于约10:1或等 于约10:1的比例,而将该有机矽化物与氧化气体引 入至该制程室中; 在邻近该介电初始层处沉积一第一介电层,其中该 介电层包含矽、氧、及碳,且其介电常数値约为3 或低于3。 10.如申请专利第9项所述之方法,其中该惰性气体 包含氦、氩、或其之组合。 11.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该有机 矽化物系选自由三甲基矽烷、2,4,6,8-四甲基环四 矽氧、八甲基环四矽氧及其之组合所组成的群组 中,且该氧化气体系选自由氧气、臭氧、一氧化碳 、二氧化碳、一氧化二氮及其之组合所组成的群 组中。 12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该惰性 气体是和该有机矽化物一同被引入。 13.一种处理一基材的方法,其至少包含: 将该基材放置在一制程室中,其中该基材具有一至 少包含矽及碳的阻障层; 引入一氧化气体至该制程室中; 产生一由该氧化气体构成的第一电浆并用来处理 该阻障层之一表面; 以一第一流速引入一有机矽化物; 以该氧化气体和该有机矽化物来在该阻障层上沉 积出一初始层; 以大于该第一流速的一第二流速来引入该有机矽 化物; 由该氧化气体和该有机矽化物来在邻近该介电初 始层处沉积一第一介电层,其中该介电层包含矽、 氧、及碳,且其介电常数値约为3或低于3。 14.如申请专利第13项所述之方法,其中该阻障层更 包含氧或氮。 15.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该有机 矽化物系选自由三甲基矽烷、2,4,6,8-四甲基环四 矽氧、八甲基环四矽氧及其之组合所组成的群组 中,且该氧化气体系选自由氧气、臭氧、一氧化碳 、二氧化碳、一氧化二氮及其之组合所组成的群 组中。 16.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该产生 由氧化气体所构成之电浆的步骤包含以一单频RF 电源来产生一电浆且该沉积初始层的步骤包含以 一双频RF电源来产生一电浆。 17.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该惰性 气体是和该有机矽化物一同被引入。 18.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该沉积 初始层的步骤包含使有机矽化物与氧化气体的比 例约为1:1。 19.如申一请专利范围第13项所述之方法,其中该沉 积第一介电层的步骤包含使有机矽化物与氧化气 体的比例大于或约等于10:1。 20.一种处理一基材的方法,其至少包含: 将该基材放置在一制程室中,其中该基材具有一至 少包含矽及碳的阻障层; 引入一氧化气体至该制程室中; 产生一由该氧化气体构成的第一电浆并在该阻障 层上形成一初始层; 引入一有机矽化物至该制程室中; 让该有机矽化物与该氧化气体反应;且 在邻近该介电初始层处沉积一第一介电层,其中该 介电层包含矽、氧、及碳,且其介电常数値约为3 或低于3。 图式简单说明: 第1图为一包含碳化矽层及氧基碳化矽层之双嵌刻 结构的截面图; 第2A-2H图显示本发明一双嵌刻沉积顺序实施例的 截面图。 |
