| 主权项 |
1.一种记忆装置,其特征在于: 包含记忆元件,其具有藉由于两端之间施加临限値 电压以上之电压而使电阻値产生变化的特性,以及 电路元件,其与上述记忆元件串联且成为负荷, 而构成记忆体单元; 将使上述记忆元件自电阻値较高之状态向电阻値 较低之状态变化的动作定义为写入时, 具有施加于上述记忆元件以及上述电路元件两端 之间之电压为大于上述临限値电压的一定电压値 以上时,于上述写入后,上述记忆体单元之上述记 忆元件以及上述电路元件之合成电阻値具有不受 上述电压大小之影响而大致成为固定値之特性。 2.如请求项1之记忆装置,其中上述记忆元件系于第 1电极与第2电极之间夹有记忆层而构成,藉由于上 述第1电极与上述第2电极间施加上述临限値电压 以上之电压,而上述记忆层之电阻値产生变化且上 述记忆元件之电阻値产生变化。 3.如请求项2之记忆装置,其中上述记忆元件之上述 记忆层主要包含非晶稀土氧化膜,于上述非晶稀土 氧化膜中添加有Cu、Ag或Zn,膜厚为10 nm以下。 图式简单说明: 图1系表示于本发明之记忆装置之一实施形态中, 使用于记忆装置中之电阻变化型记忆元件之电压- 电流变化图。 图2系于本发明之记忆装置之一实施形态中,使用 电阻变化型记忆元件而构成之记忆体单元之电路 图。 图3系本发明之记忆装置之一实施形态之电性电路 图。 图4系临限値电压仅存在于一方极性之电阻变化型 记忆元件之I-V特性的测定结果。 图5系使用于实验中之记忆元件之剖面图。 图6系使用图5之记忆元件而制造之记忆体单元之 电路图。 图7A~图7C系表示将图6之电阻元件之电阻値设为1k 、2k、5k从而分别测定出记忆体单元之I-V特 性的结果图。 图8系表示图7A~图7C之记忆体单元之电阻値大致成 为固定时,电阻元件之电阻値与记忆元件之电阻値 的关系图。 图9A系表示于图6之记忆体单元两端所施加之脉冲 电压的图。图9B系表示自施加有图9A之脉冲电压时 之记忆体单元所读出之信号位准的测定结果图。 图10系表示于记录时与删除时,于记忆体单元之两 端施加有脉冲电压时,脉冲电压之脉冲幅与记录后 之记忆体单元之合成电阻値的关系图。 图11A系写入验证之流程图。图11B系删除验证之流 程图。 |
