| 主权项 |
1.一种镁或镁合金之壳体,其中,该镁或镁合金壳体 之表面系接受使用含有化学转化处理剂及磨料之 混合物之湿鼓风处理,藉此,化学转化膜于该镁或 镁合金壳体之表面上形成。 2.如申请专利范围第1项之镁或镁合金壳体,其中, 藉由化学转化处理而形成之错合物涂覆物膜之黏 着量系以Ca重量而言系5毫克/公尺2至50毫克/公尺2, 以Mn重量而言系3毫克/公尺2至25毫克/公尺2,且以磷 重量而言系30毫克/公尺2至100毫克/公尺2。 3.如申请专利范围第1项之镁或镁合金壳体,其中, 该化学转化膜含有钙、锰,及磷。 4.如申请专利范围第1项之镁或镁合金壳体,其中, 该壳体之表面粗糙度以10-点平均粗糙度而言系0.5 um至100um之范围。 5.如申请专利范围第1项之镁或镁合金壳体,其中, 用于该湿鼓风处理之溶液之该化学转化处理剂之 比例系70至90质量%,且用于该湿鼓风处理之该溶液 之该磨料之比例系10至30质量%。 6.如申请专利范围第1项之镁或镁合金壳体,其中, 该湿鼓风处理包含于0.1至0.3MPa范围之压力下注射 含有液体及磨料之混合物。 7.如申请专利范围第1项之镁或镁合金壳体,其中, 该磨料系至少一选自氧化铝、氧化锆、玻璃及树 脂所组成族群之颗粒材料。 8.如申请专利范围第1项之镁或镁合金壳体,其中, 该磨料之平均颗粒直径系10至300um之范围。 9.一种制造镁或镁合金壳体之方法,包含: 使镁或镁合金之表面接受使用含有化学转化处理 剂及磨料之混合物之湿鼓风处理,藉此,于该镁或 镁合金壳体表面上同时形成由于该鼓风而造成之 不平坦及化学转化膜。 10.如申请专利范围第9项之制造镁或镁合金壳体之 方法,其中,该壳体之表面粗糙度以10-点平均粗糙 度而言系0.5um至100um之范围。 11.如申请专利范围第9项之制造镁或镁合金壳体之 方法,其中,该湿鼓风处理包含于0.1至0.3MPa范围之 压力下注射含有液体及磨料之混合物。 12.如申请专利范围第9项之制造镁或镁合金壳体之 方法,其中,该磨料系至少一选自氧化铝、氧化锆 、玻璃及树脂所组成族群之颗粒材料。 13.如申请专利范围第12项之制造镁或镁合金壳体 之方法,其中,该树脂系选自蜜胺树脂、尿素树脂 、聚酯树脂、酚树脂、环氧树脂,及胺基甲酸酯树 脂所组成之族群。 14.如申请专利范围第9项之制造镁或镁合金壳体之 方法,其中,该磨料之平均颗粒直径系10至300um之范 围。 15.如申请专利范围第9项之制造镁或镁合金壳体之 方法,其中,用于该湿鼓风处理之溶液中之钙系选 自硝酸钙、亚硝酸钙、硫代硫酸钙,及磷酸四钙所 组成族群之至少一者。 16.如申请专利范围第9项之制造镁或镁合金壳体之 方法,其中,用于该湿鼓风处理之溶液中之锰系选 自碳酸锰、硝酸锰、磷酸氢锰、酸式磷酸锰,及氟 硼酸锰所组成族群之至少一者。 17.如申请专利范围第9项之制造镁或镁合金壳体之 方法,其中,用于该湿鼓风处理之溶液中之磷酸系 选自原磷酸、缩合磷酸、亚磷酸,及次磷酸所组成 族群之至少一者。 18.如申请专利范围第9项之制造镁或镁合金壳体之 方法,其中,选自氯酸钠及次氯酸钠之至少一者系 被进一步添加至用于该湿鼓风处理之溶液作为氧 化加速剂。 19.如申请专利范围第18项之制造镁或镁合金壳体 之方法,其中,该氧化加速剂之添加量系0.02至2克/ 公升之范围。 20.如申请专利范围第9项之制造镁或镁合金壳体之 方法,其中,用于该湿鼓风处理之溶液之该化学转 化处理剂之比例系70至90质量%,且用于该湿鼓风处 理之该溶液之该磨料之比例系10至30质量%。 图式简单说明: 第1图系图示本发明之实施例1之方法流程。 第2图系图示比较例1之方法流程。 第3图系本发明实施例1中之笔记型电脑壳体之表 面观察相片。 第4图系比较例1中之笔记型电脑壳体之表面观察 相片。 第5A至5C图系显示本发明实施例1中之横切测试结 果之表面观察相片。 第6A至6C图系显示比较例1中之横切测试结果之表 面观察相片。 第7A至7C图系本发明实施例1藉由盐喷洒测试(SST)评 估耐腐蚀性而获得之表面观察相片。 第8A至8C图系比较例1藉由盐喷洒测试(SST)评估耐腐 蚀性而获得之表面观察相片。 |
