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发明名称
Operation of multiple select gate architecture
摘要
Methods of operating non-volatile memory devices including multiple series-coupled select gates on the drain and/or source ends of strings of non-volatile memory cells facilitate mitigation of gate-induced drain leakage and program disturb.
申请公布号
US7259991(B2)
申请公布日期
2007.08.21
申请号
US20050218848
申请日期
2005.09.01
申请人
MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人
ARITOME SEIICHI
分类号
G11C16/04
主分类号
G11C16/04
代理机构
代理人
主权项
地址
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