掺杂半导体材料的磊晶沈积

摘要

一种沈积掺杂碳之磊晶半导体层(30)之方法包括在容纳具有暴露的单晶材料(20)之经图案化的基板(10)之处理腔室(122)中维持大于约700托之压力。此方法更包括提供矽源气体之流动至处理腔室(122)。矽源气体包括二氯矽烷。此方法更包括提供碳前驱物(132)之流动至处理腔室(122)。此方法更包括选择性地将掺杂碳之磊晶半导体层(30)沈积于暴露的单晶材料(20)上。