| 摘要 |
一种在半导体装置中形成微图案之方法，其中在一具有一待蚀刻层之半导体基板上连续地叠合一第一复晶矽膜、一缓冲氧化膜、一第二复晶矽膜、一反研磨膜及一第一氧化膜。图案化该第一氧化膜、该反研磨膜及该第二复晶矽膜。在该图案化侧面部分上形成氮化物间隔物后，在该整个结构上形成一第二氧化膜。使用该反研磨膜做为一中止层以实施一化学机械研磨(CMP)。之后，在移除该等氮化膜间隔物后，使用该氧化膜与该复晶矽膜间之蚀刻选择比的差异来移除该第二氧化膜及该第二复晶矽膜。形成一用以形成一微图案之硬式罩幕，其中该硬式罩幕具有一叠合有该第一复晶矽膜及该缓冲氧化膜之结构。使用该硬式罩幕做为蚀刻阻障以蚀刻该待蚀刻层。 |
