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发明名称
半导体发光元件及其制造方法,以及半导体发光装置
摘要
本发明之半导体发光元件11系具备:具有包含发光层8且用来取出从发光层8所释出之光之第一主面,以及设于第一主面之另一侧之第二主面的半导体层积体6;设于半导体层积体6之前述第一主面之上的电极22;具导电性及对发光层8所释出之光之反射性,并设于半导体层积体6之第二主面侧的反射层25;于反射层25之半导体层积体6的第二主面侧至少与电极22对向之部分形成有凹凸。
申请公布号
TW200731570
申请公布日期
2007.08.16
申请号
TW095136737
申请日期
2006.10.03
申请人
东芝股份有限公司
发明人
安田秀文;加藤夕子;池泽一浩;寺田俊幸
分类号
H01L33/00(2006.01)
主分类号
H01L33/00(2006.01)
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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