具有双功函数金属闸堆叠的CMOS半导体元件CMOS SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING DUAL WORK FUNCTION METAL GATE STACKS

摘要

本发明提供了一种藉由采用制造技术而形成的、具有双功函数金属闸结构的CMOS半导体元件，此CMOS半导体元件为PMOS元件和NMOS元件提供了单独的功函数控制，并有效地减少或者消除了对闸介电质可靠性的影响。