| 摘要 |
本发明系有关半导体雷射装置及其制造方法。目的在于：能够在形成在同一基板上的多波长半导体雷射装置中，再现性良好地获得可高温动作且具有低噪音特性的自振荡型雷射。在红外雷射区域中，在基板10上依次叠层有下侧覆盖层12、活性层13、第一上侧覆盖层14、蚀刻停止层15、以及成为脊(ridge)部的第二上侧覆盖层16。在红色雷射区域中，在基板10上依次叠层有下侧覆盖层22、活性层23、第一上侧覆盖层24、蚀刻停止层25、以及成为脊部的第二上侧覆盖层26。红外雷射的蚀刻停止层15的厚度与红色雷射的蚀刻停止层25的厚度不同。 |
