发明名称 依据要被程式化的记忆胞数目控制程式化电压的半导体记忆装置以及其程式化方法
摘要 一种依据要被程式化的记忆胞数目控制程式化电压的半导体记忆装置以及其程式化方法。此半导体记忆装置包括记忆胞阵列。写入资料缓冲器以预定单位接收写入资料。程式化记忆胞计数器由写入资料计算要在记忆胞阵列中被程式化的资料数量。程式化电压产生器依据要在记忆胞阵列中于某一时间被程式化的资料数量输出要施加至记忆胞阵列的程式化电压。程式化电压是依据要被程式化的记忆胞数目予以控制的。
申请公布号 TW200731267 申请公布日期 2007.08.16
申请号 TW096101891 申请日期 2007.01.18
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 李承源
分类号 G11C16/12(2006.01) 主分类号 G11C16/12(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 韩国