| 摘要 |
本发明揭示一种晶圆，其具有一绝缘体上半导体(SOI)组态及具有用于具不同通道类型之电晶体之不同表面方向的主动区域。在一实例中，具有一第一表面方向之半导体结构(201、203、205)形成于一施体晶圆(101)上。具有一第二表面方向之半导体结构(401、403、405)形成于一第二晶圆(301)上。受体开口形成于该第二晶圆(301)上。该等具有该第一表面方向之半导体结构定位于该等受体开口中，并经转移至该第二晶圆。所合成晶圆具有如下之半导体区域：具有一用于具一第一通道类型之电晶体之第一表面方向的半导体区域及具有一用于具一第二通道类型之电晶体之第二表面方向的半导体区域。 |
