具辅助闸之非挥发性半导体记忆装置

摘要

AG-AND(辅助闸-及)型快闪记忆体中，采用阶层位元线结构，其中分割记忆阵列(MA)为复数的子区块(SB)，对应各子区块(SB)分配新的主位元线(MBL)，以及主位元线(MBL)经由切换器选择性地连接至上位阶层的通用位元线(GBL)，并在2条主位元线(MBL)间执行共用电荷写入。因此，可以以低消耗功率执行资料写入至快闪记忆体，并可以以高准确度控制临界电压(VTHC)。