发明名称 具有改良的打线可靠度的半导体元件以及其制造方法
摘要 本发明提供了改良配线接合可靠性之半导体元件。一种半导体元件包括基底、绝缘膜、下保护膜、复数个接合垫以及上保护膜。该绝缘膜形成于基底上并包括嵌入其中之多层配线结构。下保护膜形成于绝缘膜上并具有复数个与多层配线结构之最上层配线层对齐并在第一方向上彼此间隔之下接合垫开口。下保护膜具有界定于下接合垫开口之相邻对之间之沟渠。复数个接合垫位于下接合垫开口内,在第一方向上彼此间隔,并且连接到该多层配线结构之最上层配线层。上保护膜填充下保护膜内之沟渠并且具有复数个限定于所述上保护膜中之间隔的上接合垫开口,且所述上接合垫开口曝露所述接合垫的至少一部份上表面。
申请公布号 TW200731429 申请公布日期 2007.08.16
申请号 TW096104757 申请日期 2007.02.09
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 金光珍
分类号 H01L21/56(2006.01) 主分类号 H01L21/56(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 韩国