具有沟槽式闸极之半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种具有沟槽式闸极的半导体装置的制造方法，首先，提供一半导体基底，其表面具有一沟槽蚀刻罩幕，其次，利用该沟槽蚀刻罩幕为遮蔽物，并蚀刻该半导体基底，以形成一沟槽，然后，经由该沟槽掺入掺质于该半导体基底以形成一掺杂区域。蚀刻位于该沟槽底部的该半导体基底，以在该沟槽的底部形成一延伸部，然后，在该沟槽及该延伸部形成一闸极绝缘层，并且，在该沟槽及该延伸部之中形成一沟槽式闸极。