发明名称 半导体装置之制造方法及基板处理装置
摘要 本发明系一种利用浸式曝光而于被处理基板上形成光阻图案之基板处理方法。该基板处理方法系于被处理基板表面侧之部上、对上述被处理基板之周边部进行倒角加工而形成之上述表面侧之斜面部上、以及上述被处理基板之端部上,形成光阻膜。并于在上述光阻膜与曝光装置之投影光学系统中,最靠近上述被处理基板侧之构成要素之间,存在折射率大于空气之液体之状态下,进行于上述光阻膜上形成所期望图案之潜像的图案曝光。进而,于上述图案曝光后,向上述被处理基板之上述端部供给洗净液,去除形成于上述被处理基板之上述端部上的上述光阻膜。
申请公布号 TW200731339 申请公布日期 2007.08.16
申请号 TW095142156 申请日期 2006.11.14
申请人 东芝股份有限公司 发明人 河村大辅;盐原英志;竹石知之;早崎圭;大西廉伸;伊藤信一;东木达彦
分类号 H01L21/027(2006.01) 主分类号 H01L21/027(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本