| 摘要 |
本发明提供一种使用真实及互补双位元线及双二元储存元件单元架构之电子记忆体，其包含一具有四个二元储存元件之记忆体单元对，每一记忆体单元对能够存在于多达十六种电子记忆体状态中。视允许的杂讯边限(noise margin)及位元宽度选择而定，通常用以储存两个真实及互补资料位元之四个二元储存元件一起用以储存二、三或四个资料位元。该记忆体可为铁电记忆体FeRAM、一快闪记忆体、一ROM(唯读记忆体)、一动态记忆体DRAM、一OUM(相变化记忆体)、一MRAM(磁电阻随机存取记忆体)、一NAND记忆体或一NOR记忆体。 |
