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发明名称
图案形成方法及半导体装置之制造方法
摘要
本发明系关于一种图案形成方法,其系包含:于被加工膜上形成感光性树脂膜;在上述感光性树脂膜上以涂布法形成保护上述感光性树脂膜用的保护膜;介由浸润液选择性地对上述感光性树脂膜之一部分区域浸润式曝光,上述浸润液系供给至上述感光性树脂膜上;在形成上述保护膜后、且于含上述感光性树脂膜的一部分区域选择性地浸润式曝光前,自上述保护膜去除对上述浸润液具亲和性部位之残留物质;去除上述保护膜;以及选择性地去除上述感光性树脂膜的曝光区域或非曝光区域,藉此形成含上述感光性树脂膜之图案。
申请公布号
TW200731331
申请公布日期
2007.08.16
申请号
TW095114890
申请日期
2006.04.26
申请人
东芝股份有限公司
发明人
伊藤信一;松永健太郎;河村大辅;大西廉伸
分类号
H01L21/027(2006.01)
主分类号
H01L21/027(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
日本
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