| 摘要 |
本发明系关于一种具有一引线框之半导体装置，该引线框具有一由一基底金属(105)制成之结构，其中该结构系由一晶片贴装衬垫(402)及复数个引线区段(403)组成。覆盖该基底金属的为(顺序地)：一镍层(301)，其在该基底金属上；及一连续贵金属层，其由一在该镍层上之金层(201)及一在该金层上之最外钯层(202)组成。一半导体晶片(410)附装至晶片贴装衬垫，且导电连接(412)自该晶片跨接至该等引线区段。聚合囊封化合物(420)覆盖该晶片、该等连接及该等引线区段之部分。在具有直侧边之QFN装置中，该化合物形成一与未经囊封之引线框表面上之最外钯层共平面之表面(421)。 |
