发明名称 用于控制半导体记忆装置驱动器之电路及方法
摘要 一种由于控制一半导体记忆装置一驱动器之一电路系包括:至少一驱动单元,其中阻抗系依据一码值而设定、一阻抗调整单元,其系输出一第一码及一第二码,以供设定该至少一驱动单元之阻抗、一驱动加强控制单元,其系输出一调整码达一段与该时序资料对应之时间;及一驱动加强单元,其系输出藉由使用该调整码调整该第一码及该第二码而获得之一第一加强码及一第二加强码,致使该至少一驱动单元之一驱动能力可被加强。
申请公布号 TW200731282 申请公布日期 2007.08.16
申请号 TW095148011 申请日期 2006.12.20
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 金敬勋
分类号 G11C7/12(2006.01) 主分类号 G11C7/12(2006.01)
代理机构 代理人 罗行;赖安国
主权项
地址 韩国