发明名称 半导体曝光方法与操作半导体曝光装置的方法
摘要 一种半导体曝光方法适于利用一曝光机台对一晶片进行曝光。这种曝光机台至少是由一曝光镜头、用来承载晶片的一承载台以及一液体循环装置构成,其中液体循环装置在曝光期间于曝光镜头与晶片之间供应一液体,其特征在于曝光前,利用至少一对准光源对承载台进行一对准操作,其中对准光源具有一特定波长,使液体挥发时对对准光源的影响降至最低,以防止液体影响前述对准操作。
申请公布号 TW200731020 申请公布日期 2007.08.16
申请号 TW095105011 申请日期 2006.02.15
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 林思闽;李修申
分类号 G03F7/20(2006.01);G03F9/00(2006.01) 主分类号 G03F7/20(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号