半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置，在半导体基板上包括：由STI区包围的主动区；沿一个横切主动区的方向上形成的闸极沟槽；在闸极沟槽侧表面上形成的闸极绝缘膜；形成于闸极沟槽底部，并比闸极绝缘膜更厚的绝缘膜；以及闸电极，具有在闸极沟槽中形成的至少部分闸电极。存在于主动区中，并沿闸极沟槽延伸方向位于闸极沟槽两侧的部分半导体基板分别作为源极区和汲极区。位于主动区侧表面(STI区侧面)和闸极沟槽侧表面之间的该部分半导体基板作为通道区。