| 发明名称 | 高密度小型记忆体阵列之系统及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种包含垂直记忆细胞之记忆阵列，于细胞间不需任何的隔绝层。因此，可形成一种非常小型化高密度之记忆阵列。记忆阵列中的每一记忆细胞则建构成每细胞可储存四位元资料。多阶电荷技术则用以增加每一细胞之位元数，进而增加记忆阵列之密度。 | ||
| 申请公布号 | TW200731472 | 申请公布日期 | 2007.08.16 |
| 申请号 | TW095104265 | 申请日期 | 2006.02.08 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 徐子轩;李明修;吴昭谊;郭明昌 |
| 分类号 | H01L21/8246(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L29/792(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8246(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 李贵敏 | |
| 主权项 | |||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 | ||