在清洁循环后腔室之H调节H

摘要

本发明系关于用于清洁腔室、诸如半导体加工室的方法及装置。特定而言，在清洁循环中使用源自于氟产生器之氟，且继清洁循环之后使用氟生成时所产生之副产物氢来调节腔室且移除残余氟。