发明名称 雷射加工方法
摘要 本发明是提供可确实防止微粒子附着在裁断板状加工对象物所获得的晶片上的雷射加工方法。经由扩张带23将应力施加在加工对象物1时,对于加工对象物1的形成物质(形成有熔融处理区域13的加工对象物1、裁断加工对象物1所获得的半导体晶片25、从其半导体晶片25的裁断面产生的微粒子等)照射软X射线。藉以使半导体晶片25的裁断面所产生的微粒子不致任意地飞散,落下到扩张带23上。因此,可确实地防止微粒子附着在裁断加工对象物1所获得的半导体晶片25上。
申请公布号 TW200731375 申请公布日期 2007.08.16
申请号 TW095142620 申请日期 2006.11.17
申请人 滨松赫德尼古斯股份有限公司 发明人 本刚志
分类号 H01L21/302(2006.01);B23K26/00(2006.01) 主分类号 H01L21/302(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本