| 发明名称 |
形成具有高的反转层移动性之碳化矽(SiC)金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFETS)之方法 |
| 摘要 |
本发明提供一种在碳化矽上形成氧化物层之方法，其包括在碳化矽层上热生长氧化物层，及在超过1175℃之温度下，在含有NO之环境中退火该氧化物层。可在NO中在可涂敷碳化矽之碳化矽管中退火该氧化物层。为了形成该氧化物层，可在乾燥O2中在碳化矽层上热生长初步氧化物层，且可在潮湿O2中再氧化该初步氧化物层。 |
| 申请公布号 |
TW200731406 |
申请公布日期 |
2007.08.16 |
| 申请号 |
TW095134218 |
申请日期 |
2006.09.15 |
| 申请人 |
克立公司 |
发明人 |
麦理诺K 达斯;布瑞特 胡欧;苏米 奎许纳斯瓦米 |
| 分类号 |
H01L21/31(2006.01);H01L21/336(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
