半导体结构及其形成方法

摘要

一种改善MOS应力源一致性的方法。此方法包括形成一闸极介电层在一半导体基板上，形成一闸极电极在该闸极介电层上，形成一间隙壁在各闸极介电层及闸极电极的侧壁上，形成一凹槽在邻接该间隙壁的该半导体基板中，以及沉积SiGe在该凹槽中以形成一SiGe应力源。此方法更包括蚀刻该SiGe应力源以改善SiGe应力源的一致性。