垂直MOS电晶体及其形成方法VETTICAL MOS TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

摘要

一种掺杂矽区块或岛状物，其系形成于在一晶粒或晶片之基板中的一汲极电极上方，且具有对应于一通道之期望长度的高度。一源极电极系形成于该矽岛状物上方及允许来自上方之接触。亦可以使上方，与一L状控制闸及与该表面下汲极作接触。源极、闸极及汲极之一水平阵列的接点系形成用于该所建构之垂直电晶体。倘若将奈米晶体层并入在该闸极与该通道间之层，可形成非挥发性浮动闸极电晶体。如无该奈米晶体层，则形成MOS或CMOS电晶体。