纵型氮化镓半导体装置及磊晶基板

摘要

本发明之目的在于提供包含可在n型氮化镓基板上实现具有希望之低载子浓度之n-型氮化镓膜之构造之纵型氮化镓半导体装置用之磊晶基板。氮化镓磊晶膜65系设于氮化镓基板63上。层状区域67系设于氮化镓基板63及氮化镓磊晶膜65内。氮化镓基板63及氮化镓磊晶膜65之界面位于层状区域67内。在层状区域67中，沿着由氮化镓基板63向氮化镓磊晶膜65之轴之施主杂质为1×1018cm-3以上之峰值。施主杂质系矽及锗之至少其中之一。