发明名称 半导体装置和其制造方法
摘要 提供在相邻图素之间的绝缘膜被称为堤坝、隔板、屏障、堤防等,并被提供在薄膜电晶体的源极布线或汲极布线或电源线上方。确切地说,在提供于不同层中的这些布线的交叉部分处,形成了比其他部分更大的步阶。即使在以涂敷方法形成相邻图素之间的绝缘膜的情况下,也由于这种步阶而存在着局部形成薄的部分,从而降低承受压力的问题。在本发明中,虚拟材料被安置在大步阶部分附近,确切地说是各布线的交叉部分周围,以便减小其上形成的不平坦性。上部布线和下部布线以不对准的方式被安置,以便不对准端部。
申请公布号 TW200731542 申请公布日期 2007.08.16
申请号 TW095115090 申请日期 2006.04.27
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 仓真之;山崎舜平
分类号 H01L29/786(2006.01);H01L21/00(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本