发明名称 电容器元件制造用反应容器、电容器元件之制造方法及电容器之制造方法
摘要 本发明之课题在于提供一种,可同时获得多数个以半导体层作为一边的电极,且出现电容分布较狭窄之电容器之手段。本发明之解决手段系关于一种电容器元件制造用反应容器,系将表面上形成有电介质层之多数个导电体,同时浸渍于反应容器中的电解液,并藉由通电手法而形成半导体层,其特征为系于反应容器中,设置有对应于各个导电体之多数个阴极及室,各个阴极系个别电性连接于各个定电流源,且于各个室中,设置有电解液可于此室与其他室之间移动之至少1个通路。根据本发明,可同时获得多数个出现电容分布较狭窄之电容器。
申请公布号 TW200731303 申请公布日期 2007.08.16
申请号 TW095139601 申请日期 2006.10.26
申请人 昭和电工股份有限公司 发明人 内藤一美;铃木雅博
分类号 H01G13/00(2006.01);H01G9/04(2006.01) 主分类号 H01G13/00(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本