发明名称 |
电容器元件制造用反应容器、电容器元件之制造方法及电容器之制造方法 |
摘要 |
本发明之课题在于提供一种,可同时获得多数个以半导体层作为一边的电极,且出现电容分布较狭窄之电容器之手段。本发明之解决手段系关于一种电容器元件制造用反应容器,系将表面上形成有电介质层之多数个导电体,同时浸渍于反应容器中的电解液,并藉由通电手法而形成半导体层,其特征为系于反应容器中,设置有对应于各个导电体之多数个阴极及室,各个阴极系个别电性连接于各个定电流源,且于各个室中,设置有电解液可于此室与其他室之间移动之至少1个通路。根据本发明,可同时获得多数个出现电容分布较狭窄之电容器。 |
申请公布号 |
TW200731303 |
申请公布日期 |
2007.08.16 |
申请号 |
TW095139601 |
申请日期 |
2006.10.26 |
申请人 |
昭和电工股份有限公司 |
发明人 |
内藤一美;铃木雅博 |
分类号 |
H01G13/00(2006.01);H01G9/04(2006.01) |
主分类号 |
H01G13/00(2006.01) |
代理机构 |
|
代理人 |
林志刚 |
主权项 |
|
地址 |
日本 |