半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，系为了达成半导体装置之低电阻化。本发明之半导体装置系具备：以抵接第1金属膜18之方式形成于半导体层之贯穿孔10；形成于前述贯穿孔10之侧壁部之绝缘膜12；形成于未形成有前述绝缘膜12之前述贯穿孔10底部之第1金属膜18上与前述半导体层上之第2金属膜13；形成于前述贯穿孔10内之前述绝缘膜12及第1金属膜18上之阻障金属膜14；及隔着前述阻障金属膜14而形成于前述贯穿孔内之配线层15。