发明名称 |
用于改良装置翘曲及焊球共面之半导体总成 |
摘要 |
本发明系关于一种半导体装置,其具有一晶片(505)(该晶片之位置界定一平面)及一具有第一表面及第二表面之绝缘基板(503);该基板与该晶片大体上共面而无翘曲。该晶片侧面之一者使用黏合材料(504)附着于该第一基板表面,该材料具有一厚度。该黏合材料之厚度经分布使得中心晶片区域下之厚度(504b)等于或小于周边晶片区域下之材料厚度(504a)。封装配料(701)嵌埋未包括于该晶片附着中之所有其余晶片侧面及该第一基板表面之部分。当回焊元件(720)附着于基板接触焊垫时,该等回焊元件与该晶片大体上共面。 |
申请公布号 |
TW200731475 |
申请公布日期 |
2007.08.16 |
申请号 |
TW095138599 |
申请日期 |
2006.10.19 |
申请人 |
德州仪器公司 |
发明人 |
帕西欧V 安契塔二世;雷米A 维路安;詹姆士R M 拜罗;艾莲B 瑞尼斯 |
分类号 |
H01L23/28(2006.01);H01L23/48(2006.01);H01L23/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/28(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
蔡瑞森 |
主权项 |
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地址 |
美国 |