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发明名称
磁控溅镀装置
摘要
本发明的目的在于提供一种磁控溅镀装置,其能使靶材上瞬间侵蚀密度上昇以提高成膜速度,同时令侵蚀范围随时间移动以防止靶材局部磨耗而实现平均消耗的目的,藉此延长靶材使用寿命。于本发明中,为达成前述目的,而在柱状旋转轴2的周围设置复数板状磁石3,并旋转柱状旋转轴2,以在靶材1上形成高密度侵蚀范围并使成膜速度上昇,同时随柱状旋转轴2的旋转而侵蚀范围移动,使靶材1平均的消耗。
申请公布号
TW200730654
申请公布日期
2007.08.16
申请号
TW095137406
申请日期
2006.10.11
申请人
国立大学法人 东北大学;东京威力科创股份有限公司
发明人
大见忠弘;后藤哲也;松冈孝明
分类号
C23C14/35(2006.01);C23C14/34(2006.01);H01L21/203(2006.01)
主分类号
C23C14/35(2006.01)
代理机构
代理人
周良谋;周良吉
主权项
地址
日本
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