| 摘要 |
目的在于提供高密度、且可以高速动作的遮罩ROM。于邻接列之记忆格共通配置源极线SL，对应于各记忆格列配置位元线BL。对各记忆格列配置虚拟格DMC。虚拟格，系由响应于虚拟字元线DWL而导通的第1开关电晶体15，与响应于对应之列之源极线SL之电位而使邻接源极线结合于对应之位元线的第2开关电晶体17之串接体构成。记忆格由：1个格选择电晶体10，及以遮罩配线构成之资料记忆部12构成。资料读出时，变化选择列之源极线电位，于选择记忆格连接之选择位元线BLa与虚拟格连接之参照位元线BLb之对产生差动电位，检测出该差动电位而进行资料读出。 |
