Material zum Ausbilden eines Belichtungslicht blockierenden Films, mehrschichtige Verbindungsstruktur und Herstellungsverfahren dafür, und Halbleitervorrichtung

摘要

Es wird ein Material zum Ausbilden eines Belichtungslicht blockierenden Films bereitgestellt, das wenigstens eines von einer Siliziumverbindung einschließt, die ausgedrückt wird durch die folgende Strukturformel (1), und einer Siliziumverbindung, die ausgedrückt wird durch die folgende Strukturformel (2), worin wenigstens eines von R¹ und R² ersetzt ist gegen einen Substituenten, der Belichtungslicht zu absorbieren vermag: $F1 Strukturformel (1) (worin R¹ und R² gleich oder verschieden sein können und jeder eines aus einem Wasserstoffatom, einer Alkylgruppe, Alkenylgruppe, Cycloalkylgruppe und Arylgruppe repräsentiert, die optional substituiert sind, und n eine ganze Zahl von 2 oder größer ist) $F2 Strukturformel (2) (worin R¹, R² und R³ gleich oder verschieden sein können, wenigstens eines von R¹, R² und R³ ein Wasserstoffatom repräsentiert und die anderen eines aus einer Alkylgruppe, Alkenylgruppe, Cycloalkylgruppe und Arylgruppe repräsentieren, die optional substituiert sind, und n eine ganze Zahl von 2 oder größer ist).