Phasenänderungsspeicherbauelement mit Pull-Down-Transistormitteln

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf ein Phasenänderungsspeicherbauelement mit leitfähigen Leitungen oder Wortleitungen (WL0, WL1) und entsprechenden Pull-Down-Transistormitteln (MN01, MN14). Ein Phasenänderungsspeicherbauelement der Erfindung beinhaltet einen ersten und einen zweiten Speicherblock, die jeweils eine Mehrzahl von Phasenänderungsspeicherzellen (Cp) beinhalten, die zwischen jede einer Mehrzahl von Bitleitungen (BL0 bis BLn) und einer ersten beziehungsweise zweiten Wortleitung (WL0, WL1) eingeschleift sind, und wenigstens einen ersten und wenigstens einen zweiten Pull-Down-Transistor (MN01, MN14), die einen Spannungspegel der ersten beziehungsweise der zweiten Wortleitung herunterziehen und sich einen Knoten (N1 bis N4) teilen. Verwendung in der Phasenänderungsspeicherbauelementtechnologie.