| 摘要 |
Es wird ein Halbleiter-Transistor zur Verbesserung der Leistungsfähigkeit, insbesondere der Stromtreiber-Fähigkeit, von PMOS- und NMOS-Transistoren offenbart, der gleichzeitig den Geringe-Breite-Effekt verringert. Ein MOS-Transistor mit geringer Breite enthält: einen Kanal mit der Breite W0 und der Länge L0; einen aktiven Bereich, der Source- und Drain-Bereiche enthält, die an beiden Seiten gebildet sind und den Kanal in der Mitte haben; eine Gate-Isolationsschicht, die auf dem Kanal hergestellt ist; einen Gate-Leiter, der auf der Gate-Isolationsschicht gebildet wird und den aktiven Bereich überlappt; einen ersten zusätzlichen aktiven Bereich, dessen Breite größer als W0 des Kanals ist, als aktiver Bereich zum Source-Bereich hinzugefügt; und einen zweiten zusätzlichen aktiven Bereich, dessen Breite größer als W0 des Kanals ist, als aktiver Bereich zum Drain-Bereich hinzugefügt. Wenn die Struktur des Transistors, der die zusätzlichen aktiven Bereiche hat, auf NMOS- und PMOS-Transistoren angewendet wird, ist der Treiber-Strom als 107,27% bzw. als 103,31% dargestellt. Demgemäß werden die Treiber-Ströme sowohl von PMOS- als auch NMOS-Transistoren verbessert.
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