Halbleiterschichtstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtstruktur

摘要

Halbleiterschichtstruktur, umfassend ein Substrat (1) aus Halbleitermaterial, auf dem sich eine Schicht (2) aus einem zweiten Halbleitermaterial befindet, des Weiteren einen mit Fremdatomen angereicherten Bereich (3), der sich entweder in Schicht (2) oder in einer bestimmten Tiefe unterhalb der Grenzfläche zwischen Schicht (2) und Substrat (1) befindet, außerdem eine Schicht (4) innerhalb des mit Fremdatomen angereicherten Bereichs (3), die durch Ionenimplantation erzeugte Hohlräume beinhaltet, des Weiteren wenigstens eine epitaktische Schicht (6), die auf Schicht (2) aufgebracht ist, sowie einen Defektbereich (5) aus Versetzungen und Stapelfehlern innerhalb der Hohlräume beinhaltenden Schicht (4), wobei die wenigstens eine epitaktische Schicht (6) weitgehend rissfrei ist, und eine residuale Verspannung der wenigstens einen epitaktischen Schicht (6) kleiner oder gleich 1 GPa beträgt. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtstruktur, umfassend folgende Schritte: a) Bereitstellen eines Substrats (1) aus Halbleitermaterial; b) Aufbringen einer Schicht (2) aus einem zweiten Halbleitermaterial auf dieses Substrat (1) zur Erzeugung einer Halbleiterschichtstruktur; c) Implantation von leichten Gasionen in die Halbleiterschichtstruktur zur Erzeugung einer Hohlräume beinhaltenden Schicht (4) in der Halbleiterschichtstruktur; d) Stabilisierung dieser Hohlräume durch Fremdatome einer bestimmten Spezies; e) Aufbringen von wenigstens einer epitaktischen Schicht (6) auf ...