发明名称 |
薄膜晶体管液晶显示器的像素结构 |
摘要 |
一种薄膜晶体管液晶显示器的像素结构,其通过利用三层金属层的设计,使数据信号线与公共电极夹置有机绝缘层以降低寄生电容,同时公共电极与像素电极夹置钝化层作为像素所需的储存电容,以达到高开口率设计。另外,利用公共电极作为遮光层,以提高显示的对比度。 |
申请公布号 |
CN101017291A |
申请公布日期 |
2007.08.15 |
申请号 |
CN200610007363.3 |
申请日期 |
2006.02.09 |
申请人 |
胜华科技股份有限公司 |
发明人 |
蔡哲福;周怡伶;王文俊 |
分类号 |
G02F1/136(2006.01);G02F1/133(2006.01);H01L21/00(2006.01) |
主分类号 |
G02F1/136(2006.01) |
代理机构 |
北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
余朦;方挺 |
主权项 |
1.一种薄膜晶体管液晶显示器的像素结构制作方法,包括:a)取一基板;b)将第一导电金属材料成膜于所述基板表面上以形成第一导电金属层,所述第一导电金属层形成TFT结构的栅极电极和像素的扫描信号线;c)在所述第一导电金属层表面上形成第一绝缘层和半导体层;d)对所述半导体层进行构图,并在所述半导体层表面形成第二导电金属层,对所述第二导电金属层进行构图以形成薄膜晶体管结构的漏极电极、源极电极;e)利用薄膜工艺在所述第二导电金属层表面上形成至少一层第二绝缘层;f)利用薄膜工艺在所述第二绝缘层表面形成第三导电金属层,然后在所述第三导电金属层的表面上形成钝化层,并形成接触孔;g)形成一层透明导电层,再利用构图工艺形成像素电极的图样,所述像素电极通过所述接触孔与所述薄膜晶体管结构的源极电极电连接。 |
地址 |
中国台湾 |