| 发明名称 | 具有周围栅极结构的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有周围栅极(GAA)结构的能够实现高操作性能的半导体器件。该半导体器件的一种包括半导体衬底、公共栅极电极和栅极绝缘层。该半导体衬底具有体、从所述体向上突出的一对支承柱、以及与所述体分隔开的一对鳍，其中每个鳍的两端连接到所述支承柱对并被其支承。公共栅极电极围绕所述半导体衬底的所述鳍对的每个的部分，与所述半导体衬底绝缘，并共同地对应于所述半导体衬底的所述鳍对。栅极绝缘层置于所述公共栅极电极和所述半导体衬底的所述鳍对之间。 | ||
| 申请公布号 | CN101017820A | 申请公布日期 | 2007.08.15 |
| 申请号 | CN200610110024.8 | 申请日期 | 2006.07.28 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴允童;金锡必 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/423(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 1.一种具有周围栅极(GAA)结构的半导体器件，包括：半导体衬底，具有体、从所述体向上突出的一对支承柱、以及与所述体分隔开的一对鳍，其中每个鳍的两端连接到所述支承柱对并被其支承；公共栅极电极，围绕所述半导体衬底的所述鳍对的每个的一部分，与所述半导体衬底绝缘，并共同地对应于所述半导体衬底的所述鳍对；以及栅极绝缘层，置于所述公共栅极电极与所述半导体衬底的所述鳍对之间。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||