| 发明名称 | 薄膜晶体管面板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板，包括：基板；第一信号线，形成在该基板上；栅绝缘层，形成在该第一信号线上，并具有露出该第一信号线一部分的第一接触孔；第一半导体，形成在该栅绝缘层上；第二信号线，形成在该第一半导体和该栅绝缘层上；和漏极电极，形成在该第一半导体上，并与该第二信号线隔开。该TFT阵列面板还包括：导体，形成在该栅绝缘层上，并通过该第一接触孔连接到第一信号线；钝化层，形成在该第二信号线、该漏极电极和该导体上，并具有露出该漏极电极的第二接触孔；和像素电极，形成在该钝化层上，并通过该第二接触孔连接到该漏极电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101017835A | 申请公布日期 | 2007.08.15 |
| 申请号 | CN200710092304.5 | 申请日期 | 2007.02.07 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 柳春基;金奉柱 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/768(2006.01);G02F1/1362(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1、一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板，包括：基板；第一信号线，形成在该基板上：栅绝缘层，形成在该第一信号线上，该栅绝缘层具有露出该第一信号线一部分的第一接触孔；第一半导体，形成在该栅绝缘层上；第二信号线，形成在该第一半导体和该栅绝缘层上；漏极电极，形成在该第一半导体上，并与该第二信号线隔开；导体，形成在该栅绝缘层上，并通过该第一接触孔连接到该第一信号线；钝化层，形成在该第二信号线、该漏极电极和该导体上，该钝化层具有露出该漏极电极的第二接触孔；和像素电极，形成在该钝化层上，并通过该第二接触孔连接到该漏极电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||